[컴퓨터 구조] 임의접근 기억장치와 읽기전용 기억장치(RAM, ROM)

RAM의 분류

기억 방식에 따른 분류

 - 동적 RAM(DRAM, Dynamic RAM)

   - 저장하려고 하는 2진 정보를 충전기에 공급되는 전하의 형태로 보관

   - 전력 소비가 적고 단일 메모리 칩 내에 더 많은 정보를 저장할 수 있다.

   - 충전기의 방전 현상으로 인한 정보의 손실을 막기 위해서 재충전(refresh) 회로가 필요하다.

 - 정적 RAM(SRAM, Static RAM)

   - 주로 2진 정보를 저장하는 내부 회로가 플립플롭으로 구성

   - 저장된 정보는 전원이 공급되는 동안에 그대로 보존된다.

   - 사용하기 쉽고 읽기와 쓰기 동작 사이클이 동적 RAM보다 짧다.

ROM

MaskROM과 PROM(Programmable ROM)

  - Mask ROM

- ROM 제작사 측에서 저장 데이터에 맞게 회로를 구성해서 만들어 놓았기 때문에 내용변경이 불가능

- Mask ROM에 데이터를 집어넣기 위해서는 반드시 반도체 회사에 주문해 특별히 만들어야 하며,

  Mask ROM은 한번의 기록으로 더 이상 데이터를 변경할 수 없기 때문에 일반적으로 컴퓨터의

  주 메모리로 사용하는것은 불가능하다.

  - PROM(Programmable ROM)

- 사용자가 PROM writer를 사용하여 논리 기능을 직접 기록할 수 있다.

- 최초의 PROM은 1회에 한해서 새로운 내용으로 변경할 수 있는 ROM이다.

- 한 번 기록한 내용을 변경하거나 삭제할 수 없다.

EPROM(Erasable PROM)

- 필요할 때마다 기억된 내용을 지우고 다른 새로운 내용을 기록할 수 있다.

- 레이저를 이용한 ROM writer를 사용하면 새로운 데이터의 쓰기가 가능하다.

- 데이터를 입력하는 쓰기 동작은 PROM과 동일하고, 상단의 창에 자외선을 쏘이면

  내용이 삭제되므로 새롭게 데이터를 다시 쓸 수 있다.

- 저장된 데이터들을 삭제하는 방법에 따라서 UVEPROM(Ultra Violate Erasable PROM)과

  EEPROM(Electrically Erasable PROM)으로 구분

- UVEPROM은 칩 중앙부에 동그란 유리창이 놓여있고 이 창을 통해 일정시간 자외선을 쏘여주면

  내부에 기록되어 있는 데이터가 삭제된다.

- EEPROM은 전기적으로만 지울 수 있는 PROM으로 칩의 한 핀에 전기적 신호를 가해줌으로써

  내부 데이터가 지워지게 된다. 전기 신호를 사용하므로 훨씬 편리한 점이 많지만, 가격이 월등히 비싸며,

  쓰기/지우기 속도가 느린 단점이 있다.